3D XDR:AM的目标是将内存容量提升至当——今内存的10倍
NEO半导体公司再次宣布了一项有望彻底改变DRAM内存现状的新技术,展示了两种新的3D X-DRAM单元设计:1T1C和3T0C。这两种一晶体管一电容和三晶体管零电容的设计预计将在2026年生产出概念验证测试芯片,并将提供比普通DRAM模块高出10倍的容量。
基于NEO现有的3D X-DRAM技术,新的单元被宣传为能够在单个模块上容纳512 Gb(64 GB),至少比目前市场上任何商业模块高出10倍。NEO的测试模拟测量出10纳秒的读写速度和超过9分钟的保持时间,这两者也处于当前DRAM能力的前沿。
得益于基于铟镓锌氧化物(IGZO)的设计,1T1C和3T0C单元可以像3D NAND一样构建:以堆叠设计提高容量和吞吐量,同时保持能效。这些单元是作为修改后的3D NAND工艺设计的,NEO希望现有的3D NAND制造设施能够快速且轻松地升级以制造新的设计。
“随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出,我们正在重新定义内存技术的可能性,”NEO的首席执行官Andy Hsu说。“这一创新突破了当今DRAM的缩放限制,使NEO成为下一代内存的领跑者。”1T1C设计比NEO之前的创新,如更偏向于小众技术的3D X-AI技术,更有可能成为真正的DRAM杀手。
预计NEO半导体将在本月的IEEE IMW上分享更多关于1T1C、3T0C以及其3D X-DRAM和3D NAND系列的信息。随着像基于FeRAM的DRAM+这样的公司和技术也在争夺成为DRAM技术的下一步,以及像SK海力士这样的老牌供应商满足于开发越来越大的标准DRAM,3D X-DRAM面临着一场艰难的战斗。
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作者: 编辑:陆雅静
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